1樓：
拿其電阻率來說，電阻率主要決定於載流子的濃度和遷移率，兩者均與雜質濃度和溫度有關係。
討論純半導體材料是，電阻率主要取決於本證載流子濃度ni，ni隨溫度升高會急劇增加，室溫左右時，每8℃，矽的ni會增加大約一倍，而遷移率只是稍有下降，所以可以認為起電阻率相應的降低了一半左右。對於鍺，每增加12℃，ni增加一倍，電阻率下降一半。本徵半導體的電阻率隨溫度增加單調下降。
對於雜質半導體：
溫度很低時，本徵激發忽略，主要由雜質電離提供載流子，它隨溫度升高而增加；散射主要由電離雜質決定，遷移率隨溫度升高增大，所以電阻率下降。
溫度繼續升高，雜質全部電離，本徵激發還不顯著時，載流子基本不變，晶格振動是主要影響因素，遷移率隨溫度升高而降低，所以電阻率隨溫度升高而增大。
繼續升高到本徵激發很快增加時，本徵激發稱為主要影響因素，表現出同本證半導體相同的特徵。
2樓：徭音田寄南
搜一下：溫度對半導體導電特性的影響，我要具體詳盡的說明，謝謝！！！註釋：強調的是溫度
3樓：史蒂芬鵬鵬
我的地板樓梯的影響還是非常大的。
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