聚晶金剛石減薄方法

2025-06-14 01:05:04 字數 1081 閱讀 1965

1樓:網友

1)根據晶元的尺寸及形狀在晶元托盤上加工出晶元槽,然後將待減薄的晶元粘結到晶元槽中;2)將晶元托盤的底面黏附於陶瓷盤上;3)製備聚晶、類球狀奈米金剛石顆粒,並通過輸送管道輸送金剛石顆粒到薄盤上,並使其均勻佈滿在減薄盤;4)將黏附了晶元托盤的陶瓷盤安放到減薄盤上,其中晶元朝下與金剛石顆粒接觸,然後在陶瓷盤上施加均布載荷,並調整減薄盤和陶瓷盤的旋轉速度,通過金剛石顆粒研磨晶元來進行減薄,具體採用等級遞進流水線式減薄方式:即根據對減薄速度和減薄後晶元質量的要求,依次選擇從大到小不同粒徑的金剛石顆粒進行漸進式減薄;5)除去陶瓷盤和晶元托盤之間的粘結劑,將晶元托盤加熱,使晶元與托盤分離,再用中性有機溶劑清洗晶元,並將晶元轉移。 2.

如權利要求1所述的方法,其特徵在於,在步驟4)利用粒徑分佈在2000nm至1nm範圍內的多種不同粒徑的金剛石顆粒,按顆粒粒徑從大到小的順序依次對晶元進行減薄,最後減薄採用的金剛石顆粒的粒徑為40-200nm和/或1-40nm。 3.如權利要求1所述的方法,其特培配歲徵在於,在步驟4)選擇如下a至f中的兩個或更多個步驟按金剛石顆粒粒徑從大到小的順序進行漸進式晶元減薄:

a:將陶瓷盤安放在一號減薄盤上並施加均布載荷,一號減薄盤上的金剛石顆粒的粒徑在1250-2000nm,減薄晶元厚度至一定厚度;b:將陶瓷盤移動至二號減薄盤上並施加均布載荷,二號減薄盤上的金剛石顆粒的粒徑為1000-1250nm,減薄晶元厚度至一定厚度;c:

將陶瓷盤移動至三號減薄盤上並施加均布載荷,三號減薄盤上的金剛石顆賣氏粒的粒徑為800-1000nm,減薄晶元厚度至一定厚度;d:將陶瓷盤移動至四號減薄盤上並施加均布載荷,四號減薄盤上的金剛石顆粒的粒徑為500-800nm,減薄晶元厚度至一定厚度;e:將陶瓷盤移動至五號減薄盤上並施加均布載荷,五號減薄盤上的金剛石顆粒的粒徑為40-200nm,減薄配睜晶元厚度至一定厚度;f:

將陶瓷盤移動至六號減薄盤上並施加均布載荷,六號減薄盤上的金剛石顆粒的粒徑為1-40nm,減薄晶元厚度至一定厚度。

2樓:帳號已登出

聚晶金剛石減薄方法如下。

目前,聚晶金剛石研磨液一般採用爆轟pcd法團櫻製備,該法採用**法,工藝危險清扮複雜,得率低,分級麻煩。此外,採用聚晶金剛石研磨液時,液體廢液環境不友好,處理成本高。塌正叢。

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