1樓：icgoo****
半導體的分類方法多種多樣，通常都是基於不同的目的和領域進行劃分。可以按照不同的分類方式進行分類，主要根據以下幾個方面：
材料型別：根據其材料型別，半導體主要分為矽、鍺、氮化矽、碳化矽等。
導電型別：按照導電型別可分為p型半導體和n型半導體。
用途分類：可以根據半導體的應用範疇進行分類，如積體電路、電子器件、光電器件等。
電晶體結構：電晶體可分為單電晶體、混合電晶體和複合電晶體。
禁頻寬度：按照電子在半導體中穿過價帶和導帶之間的禁頻寬度來分，可分為常規半導體、寬禁帶半導體和窄帶隙半導體。
能隙大小：根據能帶結構的能隙大小可分為寬間隙半導體、窄間隙半導體和超大間隙半導體。
結構分類：根據半導體器件的結構特徵，可以分為二極體、三極體、場效電晶體、太陽能電池等。
半導體分為哪些型別？
2樓：網友
一、n型半導體。
n型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。
形成原理。摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高。 對於鍺、矽類半導體材料，摻雜ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的乙個多餘電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加，該類雜質原子稱為施主。
族化合物半導體的施主往往採用ⅳ或ⅵ族元素。 某些氧化物半導體，其化學配比往往呈現缺氧，這些氧空位能表現出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導電性，即是n型半導體，真空加熱，能進一步加強缺氧的程度。
二、p型半導體。
p型半導體一般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。
形成。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成p型半導體。在p型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。
由於p型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故p型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。
特點：一）、n型半導體。
由於n型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故n型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電效能就越強。
二）、p型半導體。
摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電效能就越強。
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