1樓：匿名使用者
臨界狀態下的電晶體應該是發射結正偏、集電結0偏，因此這時仍然處於放大狀態；但是發射極電流再增大一點，即進入過飽和狀態，即集電結和發射結都處於正向偏置的狀態，這時輸出電流就由電源電壓和負載電阻決定，而與發射極電流無關，電晶體即失去了放大作用——談不上電流放大係數。詳見「http://blog.
163.com/xmx028@126/」中的有關說明。
少數載流子在基區中的運動主要是擴散，只有到達集電結勢壘區中時才是漂移運動。許多模電書上的說法有問題。
2樓：匿名使用者
臨界飽和狀態是三極體vce極接近其飽和電壓的狀態.
在這個狀態下三極體開關速度最高, 損耗小.
電晶體在臨界飽和狀態有什麼特點
3樓：軍昕靚湛姍
臨界狀態下的電晶體應該是發射結正偏、集電結0偏，因此這時仍然處於放大狀態；但是發射極電流再增大一點，即進入過飽和狀態，即集電結和發射結都處於正向偏置的狀態，這時輸出電流就由電源電壓和負載電阻決定，而與發射極電流無關，電晶體即失去了放大作用——談不上電流放大係數。詳見「http://blog.
163.com/xmx028@126/」中的有關說明。
少數載流子在基區中的運動主要是擴散，只有到達集電結勢壘區中時才是漂移運動。許多模電書上的說法有問題。
三極體的飽和狀態是什麼？
4樓：疏幻旅又青
三極體飽和後c、e
間視為短路.三極體截止後c、e
間視為開路.
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點:
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝0.
7v（鍺管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e
間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces
很小，ics
最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e
間視為短路。
三極體截止狀態下的特點:
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo
為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco
可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e
間的截止電阻rce＝uce／ic，uces
很大，等於電源電壓，ics
極小，c、e
間電阻rce
很大，所以，三極體截止後c、e
間視為開路.
.三極體放大狀態下的特點:
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝0.
7v（鍺管ube＝－0.3v），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v
以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，ib
與ic成唯一對應關係。當ib
增大時，ic
也增大，並且1b
增大一倍，ic
也增大一倍。所以，ic
主要受ib
控制而變化，且ic
的變化比ib
的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
什麼是三極體的截止狀態和飽和狀態?
5樓：
簡單來說，截止狀態就是三極體的集電極和發射極之間電阻很大，就好像斷開一樣，飽和狀態剛好相反，集電極和發射極之間就好像短路一樣，兩者是完全相反的關係，斷開基極的電流或者減小到足夠小時，三極體就進入截止狀態，相反，向基極提供足夠大的電流時，三極體就進入飽和狀態
什麼是三極體飽和狀態
6樓：古吉喆囍
三極體飽和後c、e 間視為短路.三極體截止後c、e 間視為開路.
三極體構成的放大電路，在實際應用中，除了用做放大器外（在放大區），三極體還有兩種工作狀態，即飽和與截止狀態。
三極體飽和狀態下的特點:
要使三極體處於飽和狀態，必須基極電流足夠大，即ib≥ibs。三極體在飽和時，集電極與發射極間的飽和電壓（uces）很小，根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，所以ibs＝ics／β＝ec－uces／β≈ec／βrc。三極體飽和時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降ubes＝0.
7v（鍺管ubes＝－0.3v），而uces＝0.3v，可見，ube＞0，ubc＞0，也就是說，發射結和集電結均為正偏。
三極體飽和後，c、e 間的飽和電阻rce＝uces／ics，uces 很小，ics 最大，故飽和電阻rces很小。.飽和後ic不會隨著ib的增加再增加，三極體飽和後c、e 間視為短路。
三極體截止狀態下的特點:
要使三極體處於截止狀態，必須基極電流ib＝0，此時集電極ic＝iceo≈0（iceo 為穿透電流，極小），根據三極體輸出電壓與輸出電流關係式uce＝ec－icrc，集電極與發射極間的電壓uce≈ec。三極體截止時，基極電流ib＝0，而集電極與發射極間的電壓uce≈eco 可見，ube≤0，ubc＜0，也就是說，發射結和集電結均為反偏。三極體截止後，c、e 間的截止電阻rce＝uce／ic，uces 很大，等於電源電壓，ics 極小，c、e 間電阻rce 很大，所以，三極體截止後c、e 間視為開路.
.三極體放大狀態下的特點:
要使三極體處於放大狀態，基極電流必須為：0＜ib＜ibs。三極體放大時，基極電流ib＞0，對矽管來說，發射結的壓降ube＝0.
7v（鍺管ube＝－0.3v），三極體在放大狀態時，集電極與發射極間的電壓uce＞1v 以上，ube＞0，ubc＜0，也就是說，發射結正偏，集電結反偏。三極體在放大狀態時，ib 與ic 成唯一對應關係。
當ib 增大時，ic 也增大，並且1b 增大一倍，ic 也增大一倍。所以，ic 主要受ib 控制而變化，且ic 的變化比ib 的變化大得多，即集電極電流ic＝β×ib。
三極體飽和狀態應該怎麼理解
7樓：匿名使用者
三極體飽和問題總結：
1.在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻 越大越容易飽和；
3.飽和區的現象就是：二個pn結均正偏，ic不受ib之控制詳情請參考：
對於三極體飽和狀態解釋的非常透徹！
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