1樓：顧小蝦水瓶
原因是小燈泡的燈絲是金屬材料做成的，而金屬的電阻率會隨著溫度的升高而增大，所以小燈泡的電阻也會隨之增大。
金屬(除汞外)在常溫下都是晶體，它在內部結構與效能上有著晶體所共有的特徵，但金屬晶體還具有它獨特的效能，如具有金屬光澤以及良好的導電性、導熱性和塑性。
但金屬與非金屬的根本區別是金屬的電阻隨著溫度的升高而增大，即金屬具有正的電阻溫度係數，而非金屬的電阻卻隨著溫度的升高而降低，即具有負的溫度係數。
2樓：要淡定
回答5 、從電子運動的角度分析為什麼溫度升高,熱電阻的電阻率會增大?.
物理學 化學 物理
3樓：曾醉易
充電的運動的角度分析什麼溫度升溫對熱電阻的電阻率，這方面其實匱乏，不好意思
4樓：墨雨雲煙
電子運動的角度分析溫度上升，熱電阻電率是會增大的
5樓：
燕子，印度的角度分析為什麼溫度升高？熱煮熱電阻的電阻率就跟著升高，這個問題是物理用物理學的角度去分析的這個問題
6樓：生吞野牛
每種材料每一種材料的特性。電阻率增大是由於電子的運動受阻。
7樓：萬物凋零時遇見
金屬（除汞外）在常溫下都是晶體，它在內部結構與效能上有著晶體所共有的特徵，但金屬晶體還具有它獨特的效能，如具有金屬光澤以及良好的導電性
8樓：匿名使用者
不知道，但現在好像也有高溫超導了
為什麼金屬電阻率隨溫度升高而增大
9樓：愛幫忙的沙礫
這主要是與金屬原子的內部結構以及原子間的結合方式有關。
金屬元素原子構造的共同特點，就是它的最外層電子（價電子）的數目少（一般僅有1-2個），而且它們與原子核的結合力弱，很容易擺脫原子核的束縛而變成自由電子。當大量的金屬原子聚合在一起構成金屬晶體時，絕大部分金屬原子都將失去其價電子而變成正離子，正離子又按一定幾何形式規則地排列起來，並在固定的位置上作高頻率的熱振動。而脫離了原子束縛的那些價電子都以自由電子的形式，在各離子間自由運動，它們為整個金屬所共有，形成所謂「電子氣」。
金屬晶體就是依靠各正離子與公有的自由電子間的相互引力而結合起來的，而離子與離子間以及電子與電子間的斥力則與這種引力相平衡，使金屬處於穩定的晶體狀態。金屬原子的這種結合方式稱為「金屬鍵」。
由於金屬晶體是金屬鍵結合，因而使金屬具有上述一系列的金屬特性。
例如：金屬中的自由電子在外電場作用下會沿著電場方向作定向運動，形成電流，從而顯示良好的導電性。
又因金屬中正離子是以某一固定位置為中心作熱振動的，對自由電子的流通就有阻礙作用，這就是金屬具有電阻的原因。
隨著溫度的升高，正離子振動的振幅要加大，對自由電子通過的阻礙作用也加大，因而金屬的電阻是隨著溫度的升高而增大的，即具有正的電阻溫度係數。
10樓：小溪
金屬的電阻率隨溫度升高而增大，那是因為電子運動受到分子雜亂無序運動的干擾所致，而半導體中參與導電載流子濃度隨著溫度上升而增加，所以電阻率下降。
11樓：卜懷壘
試題答案：當金屬鉑所加的電壓和通過電流增大時，發熱功率增大，它的溫度升高，電阻增大，則伏安特性曲線切線的斜率逐漸增大，根據數學知識可知c正確．故選c
12樓：匿名使用者
金屬體可以導電是應為金屬體內的電子是遊離的,這同時決定了金屬可以導電,導熱好,可延伸等屬性.溫度升高電子的運動加快,在電子的定向運動的基礎上的震動變大,電阻加大
為什麼溫度越高電阻越大
13樓：雨說情感
當所討論的物質是金屬時，隨著溫度升高溫度越高，電阻就越大。
原因：首先，由於電子的自由運動（不規則），金屬可以導電。除了自由電子外，金屬中的原子在其位置附近振動。振動的強度與金屬的溫度有關。
溫度越高，振動就越強。同時，自由電子與原子間碰撞的機率越大，對電子的定向運動也就越有阻礙，即電阻的增加。
擴充套件資料
當材料是非金屬材料（一些半導體）時，溫度越高，電阻越小。其原因是當溫度升高時，內部電子運動增強（且不來回振動），從而攜帶電荷。某些半導體的溫度越往上升高，電阻就越大。
然而，並非所有電阻都隨溫度升高而增大：
1、隨著溫度的升高，電阻越大，電阻可能越大，可能增加，減小，或者基本保持不變。這與電阻材質有關，電阻本身就是電阻的性質。
2、溫度敏感電阻被稱為熱敏電阻，分為正溫度係數熱敏電阻和負溫度係數熱敏電阻。正溫度係數熱敏電阻的電阻值隨溫度的升高而增大，負溫度係數熱敏電阻的電阻值隨溫度的升高而減小。
3、純金屬的電阻隨溫度的增加而增加，而碳和絕緣體的電阻隨溫度的升高而降低。一些合金（如kangcopper和錳銅）的電阻與溫度的變化幾乎沒有關係。
14樓：天文小築
這個問題有多種情況：
1 當為金屬時，溫度越高電阻越大。原因：首先金屬之所以可以導電是因為其內部有自由運動的電子（無規則）。
金屬中的除自由電子外的原子實也在其位置附近振動，這種振動的劇烈程度與金屬的溫度有關，溫度越高，振動越劇烈。同時自由電子與這種原子實之間的碰撞機會就越大，也就越阻礙電子的定向運動，也就是電阻增大了。
2 非金屬物質（部分半導體）溫度越高電阻越小。原因：當溫度上升時，其內部電子運動加劇（但不會來回振動），進而可以運載電荷。
3 部分半導體溫度越高電阻越大。原因：同1相似。
本題的關鍵--電子的作用。
15樓：匿名使用者
導體的電阻與溫度有關。純金屬的電阻隨溫度的升高電阻增大，溫度升高1℃電阻值要增大千分之幾。碳和絕緣體的電阻隨溫度的升高阻值減小。
半導體電阻值與溫度的關係很大，溫度稍有增加電阻值減小很大。有的合金如康銅和錳銅的電阻與溫度變化的關係不大。電阻隨溫度變化的這幾種情況都很有用處。
利用電阻與溫度變化的關係可製造電阻溫度計，鉑電阻溫度計能測量—263℃到1000℃的溫度，半導體鍺溫度計可測量很低的溫度。康銅和錳銅是製造標準電阻的好材料。
例如：電燈泡的燈絲用鎢絲製造，燈絲正常發光時的電阻要比常溫下的電阻大多少？
鎢的電阻隨溫度升高而增大，溫度升高1℃電阻約增大千分之五。燈絲髮光時溫度約2000℃，所以，電阻值約增大10倍。燈絲髮光時的電阻比不發光時大得多，剛接通電路時燈絲電阻小電流很大，用電裝置容易在這瞬間損壞。
16樓：匿名使用者
當所討論的物質為金屬時，滿足溫度越高電阻越大。原因：首先金屬之所以可以導電是因為其內部有自由運動的電子（無規則）。
金屬中的除自由電子外的原子實也在其位置附近振動，這種振動的劇烈程度與金屬的溫度有關，溫度越高，振動越劇烈。同時自由電子與這種原子實之間的碰撞機會就越大，也就越阻礙電子的定向運動，也就是電阻增大了。
當物質為金屬時，滿足 溫度越高電阻越大。
當物質為非金屬物質（部分半導體）溫度越高電阻越小。原因：當溫度上升時，其內部電子運動加劇（但不會來回振動），進而可以運載電荷。
部分半導體溫度越高電阻越大。
17樓：
平博士密碼：溫度越高電阻越大，零下270度時候電阻會消失！
18樓：威武雄壯
溫度從來都不是決定電阻大小的重要因素，材料因數才是、
19樓：三角涵數
在金屬純電阻中，溫度上升，原子的震動也變大了，然後電子撞上原子的概率也變大了，所以一般溫度升高，電阻變大。然而非金屬的有不同的。
20樓：
溫度越高,金屬內部的熱運動越劇烈,晶格也越渾亂.對自由電子的阻礙越大.電阻越大.
具體說:屬導電是由於金屬中的自由電子定向運動導致的.金屬中的除自由電子外的原子實也在其位置附近振動,這種振動的劇烈程度與金屬的溫度有關,溫度越高,振動越劇烈.
同時自由電子與這種原子實之間的碰撞機會就越大,也就越阻礙電子的定向運動,也 就是電阻增大了.
21樓：匿名使用者
不是！視情況而定！普通金屬電阻如鎢、鐵、銅等溫度越高電阻越大，一些合金電阻的阻值不隨溫度變化，阻值是一定的。熱敏電阻溫度越高電阻越小！
22樓：匿名使用者
不是的,這要根據情況而言的
對於金屬材料,溫度越高,電阻越大,如正在工作的燈泡,它工作時間越長,電阻越大
非金屬材料可能隨溫度的增高而降低,如在一個玻璃球旁邊接兩根導線,玻璃電阻達10的16次冪歐,但是當外界溫度達到300攝氏度以上時,便形成了絕對的通路
另外,定值電阻的阻值不受溫度影響
金屬熱電阻為什麼是溫度越高阻值越大，且變
23樓：匿名使用者
金屬溫度越高，原子動能增大，震動幅度加大，阻礙電子的定向移動，電阻因此增大
24樓：安全護航
從微**，電流定義為電子定向移動，熱量越大電子獲得能量越大，電子的雜亂無章的運動增加，電阻的定義是對電流的阻礙作用，電子雜亂無章的運動越劇烈，對電子定向運動產生的阻礙作用就越大。所以，命題成立。
熱電阻為什麼電阻率越大，熱慣性越大
25樓：匿名使用者
溫度探頭：靠因溫度變化而引起物質的物理，化學性質變化原理而測量物體溫度的裝置。靠物理變化而測量溫度的比較成熟並廣泛使用的技術有：
熱釋電紅外探頭，熱電偶電勢差探頭，熱電阻探頭。化學性質變化原理的溫度探頭遠不如物理探頭方便故而很少使用。
熱電偶：當兩種不同金屬一端相連，放入低溫中，它們的另一端放入相同的高溫中就會有電勢差。這樣的一對金屬就叫熱電偶。
因為這種溫差與電勢差幾乎成正比，有非常好的線性關係，故而可用來通過測電壓求溫度。
熱電阻：電阻的阻值並不是一成不變的，當溫度變化時，電阻也會發生改變，我們可通過測量電阻的改變數求溫度。專門用來通過電阻變化求溫度的電阻叫熱電阻。
pt是溫度探頭，
pt是化學元素鉑的化學符，代表用純鉑做成的熱電阻，代表在標準情況下的電阻電ω。
這是一種常用的熱電阻探頭。這個其實不是很複雜的 可以到硬之城上面看看有沒有這個型號 有的話就能在上面找到它的技術資料
半導體的電阻為什麼隨溫度升高而降低
26樓：清溪看世界
因為在一定溫度下，半導體的電子空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡，此時半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產生更多的電子空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。
半導體的五大特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電效能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
擴充套件資料
摻雜對半導體結構的影響：
1、摻雜之後的半導體能帶會有所改變。依照摻雜物的不同，本質半導體的能隙之間會出現不同的能階。施主原子會在靠近傳導帶的地方產生一個新的能階，而受主原子則是在靠近價帶的地方產生新的能階。
2、摻雜物依照其帶給被摻雜材料的電荷正負被區分為施主與受主。施主原子帶來的價電子大多會與被摻雜的材料原子產生共價鍵，進而被束縛。
3、摻雜物對於能帶結構的另一個重大影響是改變了費米能階的位置。在熱平衡的狀態下費米能階依然會保持定值，這個特性會引出很多其他有用的電特性。
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