1樓：打樁藝術裡
qe (量子效察世敏率) 方程用於描述半導體器件的發光效率，它的形式通常為：
qe = n_ph * h * c) /q * v * i)
其中，n_ph 是每個光子所激發的電子數，h 和 c 分別表示蒲朗克常數和光速，v 和 i 分別表示器件的工作電壓和電流，而 q 則表示電子返寬電荷量，即元電荷的大小。
共聚對qe方程的影響有兩個方面：
首先是q的影響：共聚通過改變半導體材料的能帶結構和電子-空穴對的分佈，可以影響元電荷q的大小。如果共聚使材料能帶結構變得更加對稱，也就是說，傳輸帶和價帶發生更大的重疊，在這種情況下，電子和空穴容易相遇，從而產生更多的複合效應。
這將導致元電荷q的大小減小，因此qe方程右側的q作為分母，將使得qe值增加。
其次是e的影響：在半導體材料中，共聚可以增加激子的數目和能量，從而提高激子的產生率。敗枝激子是電子-空穴對的複合產物，具有比電子和空穴更高的能量狀態。
如果激子比電子或空穴更容易被激發和發光，那麼qe值就會隨著電子和空穴的複合事件的增加而增加。因此，由於共聚而導致激子密度增加，將有利於光致發光器件的量子效率提高。
綜上所述，共聚可以影響qe方程中q分母的大小和e分子的大小，從而提高半導體材料的發光效率。
2樓：汽車藝術家
您好！qe方程（賀姿即量子電子方程）是一種處理奈米尺度材料中的電子結構的理論方法。在該理論方法中，q和e通常表示選定的標準位移向量以及與它相聯絡的電場強度，它們可以影響材漏拿料的電子結構。
共聚性通常指材料中各個分子之間的相互作用力量，包括範德華力和化學鍵等。q和返拍搭e可以影響共聚性，從而影響材料的物理和化學性質。但是具體影響的情況要看具體材料及其結構和條件而定。
一些研究也**了量子電子方程和共聚性之間的關係，為更好地理解數學模型和物理過程之間的聯絡提供了基礎。
qe方程中q和e的概念
3樓：l糯公尺雞
qe方程中q和e的概念是：
1、取代基共軛程度是單體參加聚合反應。
轉變成自由基。
難易程度的指標，即單體埋物碰活性的指標，用大寫英文字母q表示。
2、 取代基的極性(吸電彎談性)與其自由基取代基的極性完全相同，用小寫英文字母e表示。
在qe方程中，q表示共軛效應。
q表示極性效應。
在qe方程中，還有乙個p的概念是單體在聚合反應中轉化為自由基以後，其取代基的共軛程度及活性發生改變螞禪，用大寫英文字母p表示自由基的共軛程度或活性。
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