1樓：匿名使用者
嚴格的說ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，部分初學者也常看到ddr sdram，就認為是sdram。ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。ddr記憶體是在sdram記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用sdram生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通sdram的裝置稍加改進，即可實現ddr記憶體的生產，可有效的降低成本。
sdram在一個時鐘週期內只傳輸一次資料，它是在時鐘的上升期進行資料傳輸；而ddr記憶體則是一個時鐘週期內傳輸兩次次資料，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料，因此稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。ddr記憶體可以在與sdram相同的匯流排頻率下達到更高的資料傳輸率。
與sdram相比：ddr運用了更先進的同步電路，使指定地址、資料的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與cpu完全同步；ddr使用了dll(delay locked loop，延時鎖定迴路提供一個資料濾波訊號)技術，當資料有效時，儲存控制器可使用這個資料濾波訊號來精確定位資料，每16次輸出一次，並重新同步來自不同儲存器模組的資料。ddr本質上不需要提高時脈頻率就能加倍提高sdram的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出資料，因而其速度是標準sdra的兩倍。
從外形體積上ddr與sdram相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但ddr為184針腳，比sdram多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等訊號。ddr記憶體採用的是支援2.
5v電壓的sstl2標準，而不是sdram使用的3.3v電壓的lvttl標準。
ddr記憶體的頻率可以用工作頻率和等效頻率兩種方式表示，工作頻率是記憶體顆粒實際的工作頻率，但是由於ddr記憶體可以在脈衝的上升和下降沿都傳輸資料，因此傳輸資料的等效頻率是工作頻率的兩倍。
雙通道同步動態隨機儲存器（雙通道同步動態隨機存取記憶體）即ddr sdram (double date rate synchronous dynamic random access memory) 為具有雙倍資料傳輸率之sdram，其資料傳輸速度為系統頻率之兩倍，由於速度增加，其傳輸效能優於傳統的sdram。
1張有184針的ddr記憶體ddr是一種繼sdram後產生的記憶體技術，ddr，英文原意為「double data rate」，顧名思義，就是雙資料傳輸模式。之所以稱其為「雙」，也就意味著有「單」，我們日常所使用的sdram都是「單資料傳輸模式」。ddr sdram最早是由三星公司於2023年提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的記憶體規格，並得到了amd、via與sis等主要晶片組廠商的支援。
這種記憶體的特性是在一個記憶體時鐘週期中，在一個方波上升沿時進行一次操作（讀或寫），而ddr則引用了一種新的設計，其在一個記憶體時鐘週期中，在方波上升沿時進行一次操作，在方波的下降沿時也做一次操作，之所以在一個時鐘週期中，ddr則可以完成sdram兩個週期才能完成的任務，所以理論上同速率的ddr記憶體與sdr記憶體相比，效能要超出一倍，可以簡單理解為100mhz ddr=200mhz sdr。
嚴格的說ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，部分初學者也常看到ddr sdram，就認為是sdram。ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。ddr記憶體是在sdram記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用sdram生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通sdram的裝置稍加改進，即可實現ddr記憶體的生產，可有效的降低成本。
sdram在一個時鐘週期內只傳輸一次資料，它是在時鐘的上升期進行資料傳輸；而ddr記憶體則是一個時鐘週期內傳輸兩次次資料，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次資料，因此稱為雙倍速率同步動態隨機儲存器。ddr記憶體可以在與sdram相同的匯流排頻率下達到更高的資料傳輸率。
與sdram相比：ddr運用了更先進的同步電路，使指定地址、資料的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與cpu完全同步；ddr使用了dll (delay locked loop，延時鎖定迴路提供一個資料濾波訊號)技術，當資料有效時，儲存控制器可使用這個資料濾波訊號來精確定位資料，每16次輸出一次，並重新同步來自不同儲存器模組的資料。ddl本質上不需要提高時脈頻率就能加倍提高sdram的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出資料，因而其速度是標準 sdra的兩倍。
從外形體積上ddr與sdram相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但ddr為184針腳，比sdram多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等訊號。ddr記憶體採用的是支援2.
5v電壓的sstl2標準，而不是sdram使用的3.3v電壓的lvttl標準。
2樓：漢城喜星
傳統的sdr sdram只能在訊號的上升沿進行資料傳輸，而ddr sdram卻可以在訊號的上升沿和下降沿都進行資料傳輸，所以ddr記憶體在每個時鐘週期都可以完成兩倍於sdram的資料傳輸量，這也是ddr的意義——double data rate，雙倍資料速率。舉例來說，ddr266標準的ddr sdram能提供2.1gb/s的記憶體頻寬，而傳統的pc133 sdram卻只能提供1.
06gb/s的記憶體頻寬。
一般的記憶體條會註明cl值，此數值越低表明記憶體的資料讀取週期越短，效能也就越好，ddr sdram的cl常見值一般為2和2.5兩種。
ddrddr是雙倍資料速率(double data rate)。ddr與普通同步動態隨機儲存器（dram）非常相象。普通同步dram（現在被稱為sdr）與標準dram有所不同。
標準的dram接收的地址命令由二個地址字組成。為接省輸入管腳，採用了多路傳輸的方案。第一地址字由原始地址選通（ras）鎖存在dram晶片。
緊隨ras命令之後，列地址選通（cas）鎖存第二地址字。經過ras和cas，儲存的資料可以被讀取。
同步動態隨機儲存器（sdr dram)由一個標準dram和時鐘組成，ras、cas、資料有效均在時鐘脈衝的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以**資料和剩餘指令的位置。因而，資料鎖存選通可以精確定位。
由於資料有效視窗的可預計性，所以可將儲存器劃分成4個區進行內部單元的預充電和預獲取。通過脈衝串模式，可進行連續地址獲取而不必重複ras選通。連續cas選通可對來自相同源的資料進行再現。
ddr儲存器與sdr儲存器工作原理基本相同，只不過ddr在時鐘脈衝的上升和下降沿均讀取資料。新一代ddr儲存器的工作頻率和資料速率分別為200mhz和266mhz，與此對應的時脈頻率為100mhz和133mhz。
sdrdram是動態儲存器(dynamic ram)的縮寫sdram是英文synchronousdram的縮寫，譯成中文就是同步動態儲存器的意思。從技術角度上講，同步動態儲存器(sdram)是在現有的標準動態儲存器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。使用sdram不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。
在功能上，它類似常規的dram，且也需時鐘進行重新整理。可以說，sdram是一種改善了結構的增強型dram。目前的sdram有10ns和8ns。
3樓：匿名使用者
sdr ram 靜態隨機儲存器
ddr 雙倍位元速率
ddr sdram模組部份與sdram模組相比，改為採用184針(pin)，4～6 層印刷電路板，電氣介面則由「lvttl」改變為「sstl2」。在其它元件或封裝上則與sdram模組相同。ddr sdram模組一共有184個接腳，且只有一個缺槽，與sdram的模組並不相容。
ddr sdram在命名原則上也與sdram不同。sdram的命名是按照時脈頻率來命名的，例如pc100與pc133。而ddr sdram則是以資料傳輸量作為命名原則，例如pc1600以及pc2100，單位 mb/s。
所以 ddr sdram中的ddr200 其實與 pc1600 是相同的規格，資料傳輸量為 1600mb/s(64bit×100mhz×2÷8＝1600mbytes/s)，而 ddr266與pc2100 也是一樣的情形(64bit×133mhz×2÷8＝2128mbytes/s)。
ddr sdram 在規格上按訊號延遲時間(cl；cas latency，cl是指記憶體在收到訊號後，要等待多少個系統時鐘週期後才進行讀取的動作。一般而言是越短越好，不過這還要看記憶體顆粒的原始設定值，否則會造成系統的不穩定)也有所區別。按照電子工程設計發展聯合協會（jedec）的定義(規格書編號為jesd79)：
ddr sdram一共有兩種cas延遲，分為2ns以及2.5ns(ns為十億分之一秒)。較快的 cl= 2 加上 pc 2100 規格的 ddr sdram稱作 ddr 266a，而較慢的 cl= 2.
5 加上pc 2100規格的ddr sdram 則稱作 ddr 266b。另外，較慢的 pc1600 ddr sdram 在這方面則是沒有特別的編號。
4樓：
ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。
而ddr 以前的記憶體是sdram。
5樓：
ddr1,sd ram
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