mos場效電晶體p型和n型如何區分

2021-10-10 20:25:16 字數 4091 閱讀 9396

1樓:deity灬曦素材店

mosfet可以分成增強型和耗盡型,每一種又可以分成n溝道和p溝道。

不過現實中,耗盡型的型別很少,而p溝道也比較少,最多的就是n溝道增強型mosfet,也就是增強型n-mosfet。

大部分mos管的外觀極其類似,常見的封裝種類有to252,to220,to92,to3,to247等等,但具體的型號有成千上萬種,因此光從外觀是無法區分的。對於不熟悉型號,經驗又比較少的人來說,比較好的方法就是查器件的datasheet(pdf格式,一般是英文),裡面會詳細告訴你,它的型別和具體引數,這些引數對於你設計電路極有用。

我們區分型別,一般就是看型號,比如irf530,irf540,irf3205,irpf250等這些都是很常見的增強型n-mosfet,而對應的irf9530,irf9540就是增強型p-mosfet,耗盡型的兩種,我至今還沒在實際電路中看到過具體的器件。

前面一個朋友的說法有一些欠妥,比如結型管(j-fet)與mosfet並不互相包含,反而是並列關係,這兩種是場效電晶體的兩種型別,而jfet也可以分成n-jfet和p-jfet兩種,像2sk117,2sk596都是常見的n-jfet型號,不過p-jfet的具體型號我還沒見過,一般都融入了積體電路設計(ic設計)中。

2樓:超人影視娛樂

mos場效電晶體分j型,增強型,耗盡型。

一般來說n溝道是導電溝道是n型半導體,p溝道是p型半導體,然後再區分柵極壓降是要正開啟還是負開啟。

mos場效電晶體在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層,因此具有極高的輸入電阻。

結型場效電晶體在柵極與溝道之間是反偏的pn結形成的門極電壓控制。所以輸入電阻不及mos場效電晶體。

3樓:匿名使用者

mos場效電晶體分j型,增強型,耗盡型

你問哪一種?

這幾種的特點都不一樣!

一般來說n溝道是導電溝道是n型半導體,p溝道是p型半導體,然後再區分柵極壓降是要正開啟還是負開啟

你找一本綠皮的電子線路基礎,裡面很清晰,曲線圖有,溝道怎麼形成也有。

或者你買一本藍皮的cmos積體電路設計,第二章也講得非常清晰。

如果你還是不懂,你最好先學習一下」半導體原理「和」半導體器件物理「這兩本書。這對於溝道如何形成的理解有很大幫助。或者再往前推,你可以先看一下」固體物理「這本書。

如何分辨場效電晶體的n溝道和p溝道?怎麼辨別三極體的npn和pnp?

4樓:廖明明

1、場效電晶體分辨方法:

第一種方法:將萬用表撥在r×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。

當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極d和源極s。因為對結型場效電晶體而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極g。

第二種發方法:將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極,測其電阻值。

當出現兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其餘兩電極分別為漏極和源極。

若兩次測出的電阻值均很大,說明是pn結的反向,即都是反向電阻,可以判定是n溝道場效電晶體,且黑表筆接的是柵極;

若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向pn結,即是正向電阻,判定為p溝道場效電晶體,黑表筆接的也是柵極。

若不出現上述情況,可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。

2、三極體分辨方法:

1、從結構上看,pnp型三極體的集電區和發射區是p型半導體,中間的基區是n型半導體,而npn管的集電區和發射區是n型半導體,中間的基區是p型半導體。

2、從使用上看,pnp關工作時,發射極接高電壓,集電極接低電壓,而npn管工作時,發射極接低電壓,集電極接高電壓。

3、pn結的方向不一致。

pnp是共陰極,即兩個pn結的n結相連做為基極,另兩個p結分別做集電極和發射極。npn則相反。

擴充套件資料:

場效電晶體的作用:

1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。

2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場效電晶體可以用作可變電阻。

4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。

5.場效電晶體可以用作電子開關。

三極體的作用:

三極體具有電流放大作用,其實質是三極體能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極體最基本的和最重要的特性。我們將δic/δib的比值稱為晶體三極體的電流放大倍數,用符號「β」表示。

電流放大倍數對於某一隻三極體來說是一個定值,但隨著三極體工作時基極電流的變化也會有一定的改變。

5樓:幸運的

箭頭都是p指向n**管和場效電晶體都一樣。看箭頭的最終指向,指向什麼就是什麼型號的。

例如,給你一個**管的簡略圖,找到標箭頭的那根線,始終為p→n。在箭頭兩端標好p和n。看他們p和n哪個處於三根線的匯聚處,讀的時候就把他放中間,例如,n在中間,就是pnp。

場效電晶體一樣的分析。

若是實踐中,則根據場效電晶體的pn結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效電晶體的三個電極。具體方法:將萬用表撥在r×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。

當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極d和源極s。因為對結型場效電晶體而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極g。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極,測其電阻值。

當出現兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,說明是pn結的反向,即都是反向電阻,可以判定是p溝道場效電晶體,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向pn結,即是正向電阻,判定為n溝道場效電晶體,黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況,可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。

6樓:匿名使用者

如果單純是書上的圖記不住。教一個方法,永遠記住,箭頭都是p指向n**管和場效電晶體都一樣。看箭頭的最終指向,指向什麼就是什麼型號的

7樓:須英哲乾子

根據場效電晶體的pn結正、反向電阻值不一樣的現象,可以判別出結型場效電晶體的三個電極。具體方法:將萬用表撥在r×1k檔上,任選兩個電極,分別測出其正、反向電阻值。

當某兩個電極的正、反向電阻值相等,且為幾千歐姆時,則該兩個電極分別是漏極d和源極s。因為對結型場效電晶體而言,漏極和源極可互換,剩下的電極肯定是柵極g。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極,另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極,測其電阻值。

當出現兩次測得的電阻值近似相等時,則黑表筆所接觸的電極為柵極,其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大,說明是pn結的反向,即都是反向電阻,可以判定是n溝道場效電晶體,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向pn結,即是正向電阻,判定為p溝道場效電晶體,黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況,可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試,直到判別出柵極為止。

請問如何判斷mos管是p溝道還是n溝道?

8樓:馬到成功

說明是pn結的反向,即都是反向電阻,

9樓:匿名使用者

根據場效電晶體的copypn結正、反向電bai阻值不一樣的現象,

du可以判別出結型場效zhi應管的三個電極:若兩次dao測出的電阻值均很大,說明是pn結的反向,即都是反向電阻,可以判定是n溝道場效電晶體,且黑表筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小,說明是正向pn結,即是正向電阻,判定為p溝道場效電晶體,黑表筆接的也是柵極。

10樓:匿名使用者

先找出d、s,一端接10v,一端接10v負載(小燈泡),將g接10v,如果燈泡亮,為n溝道,反之為p溝道

11樓:匿名使用者

謝謝樓上的兄弟,不過對於絕緣柵場效電晶體,如何分別呢!是不是隻有查資料呢?

12樓:匿名使用者

一般奇數為p,偶數為n.如n-channel:4800,4422....p-channel:4835,4407...

13樓:匿名使用者

樓上觀察仔細 這都給你發現了

N溝道增強型MOS場效電晶體導通後,D S間相當於受電壓uGS控制的電流源,對嗎

理論是的,但是如果不加反饋網路,以及溫度處理的話,那就不僅僅只是關於ugs的函式了 理工學科整流10伏電壓4000個電流一小時多少度電?10 4000 1.732 69280kva,看看你的功率因數是多少,功率因數接近1 的話 一小時69280度電 理工學科 一 一般銅導線載流量導線的安全載流量是根...

場效電晶體是什麼東西,什麼是場效電晶體

場效電晶體 現在越來越多的電子電路都在使用場效電晶體,特別是在音響領域更是如此,場效電晶體與電晶體不同,它是一種電壓控制器件 電晶體是電流控制器件 其特性更象電子管,它具有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由於是電壓控制器件所以噪聲小.場效電晶體是一種單極型電晶體,它只有一個p n結,在零偏壓的狀態下...

貼片場效電晶體

得看你多大功復率了 是制高壓mos 還是低壓mos 以我bai們工廠為du例 to 263的貼片低壓mos可封zhi裝120n10 120a 100v 100n120 100a 120v 如果是dao 高壓mos 那就400 600v的 to 263封裝的常用到的12n 18n 20n類似產品 to...