1樓：
其根本在於pn結的單向導電性。反向電流是由少數載流子的漂移運動形成的，同時少數載流子是由本徵激發產生的（當溫度升高時，本徵激發加強，漂移運動的載流子數量增加），當管子製成後，其數值決定於溫度，而幾乎與外加電壓無關。
在一定溫度t下，由於熱激發而產生的少數載流子的數量是一定的，電流的值趨於恆定，這時的電流就是反向飽和電流。
它的大小跟溫度因素有關。
擴充套件資料
從pn結的形成原理可以看出，要想讓pn結導通形成電流，必須消除其空間電荷區的內部電場的阻力。很顯然，給它加一個反方向的更大的電場，即p區接外加電源的正極，n區結負極，就可以抵消其內部自建電場，使載流子可以繼續運動，從而形成線性的正向電流。
而外加反向電壓則相當於內建電場的阻力更大，pn結不能導通，僅有極微弱的反向電流（由少數載流子的漂移運動形成，因少子數量有限，電流飽和）。
當反向電壓增大至某一數值時，因少子的數量和能量都增大，會碰撞破壞內部的共價鍵，使原來被束縛的電子和空穴被釋放出來，不斷增大電流，最終pn結將被擊穿（變為導體）損壞，反向電流急劇增大。
這就是pn結的特性（單向導通、反向飽和漏電或擊穿導體），也是電晶體和積體電路最基礎、最重要的物理原理，所有以電晶體為基礎的複雜電路的分析都離不開它。比如二極體就是基於pn結的單向導通原理工作的；而一個pnp結構則可以形成一個三極體，裡面包含了兩個pn結。二極體和三極體都是電子電路里面最基本的元件。
2樓：
p型半導體中的少數載流子（電子）和n型半導體中的少數載流子（空穴），在反向電壓作用下很容易通過pn結， 形成反向飽和電流。但由於少數載流子的數目很少， 所以反向電流是很小的，
3樓：
跟vd有關是因為隨著反向電壓的增大，勢壘抬高，耗盡層變寬，所以被反向抽走的電子和空穴就會增加，所以反向飽和電流會隨著反向電壓的增大稍稍增大一定。但是對於矽pn結，反向飽和電流一般在10e-14a～10e-10a,一般都很小，即使有所增大也不會達到質的變化。所以可稱為飽和，飽和的含義就是再怎麼增大電壓，電流增大的不多的意思。
當然和溫度有關，因為所有的半導體的性質都和溫度有關，這個就不必說了，呵呵。
具體的公式和詳細的解釋可以參考《半導體物理》和《電晶體原理》等書。
pn結加反向電壓引起反向電流增大的主要原因是什麼？
4樓：o0紅色
反向電壓導致pn結內電場與外加電場方向相同，此時漂移運動就會加劇，形成漂移電流，內部的空間電荷區就變寬了，但是摻雜的雜質離子濃度低的情況下，漂移電流會反向飽和，忽略不計，因此pn結表現高租態，反向截止
5樓：薇薇的笨豬
pn結加反向電壓時，反向電壓超過一定值，就會產生雪崩擊穿，一旦反向擊穿了，電流就像滾雪球一樣，越滾越大。
6樓：匿名使用者
因為不能引起減小或不變。
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