二極體的導通條件是什麼

2021-08-13 09:17:27 字數 2715 閱讀 7939

1樓:蛙家居

二極體正向導通的條件是:給與正向電壓,並且大於二極體的導通電壓!0.7v就是矽管的正向導通電壓(鍺管是約0.3v),導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變。

1、二極體加外正向電壓(外加反向電壓不能導通的)。

2、加上的正向電壓必須大於二極體的死區電壓。二極體的死區電壓:外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服pn結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。

這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。

3、當正向電壓大於死區電壓以後,pn結內電場被克服,二極體正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內,導通時二極體的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極體正向導通。

2樓:匿名使用者

1、二極體加外正向電壓(外加反向電壓不能導通的);

2、加上的正向電壓必須大於二極體的死區電壓。

二極體的死區電壓:

外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服pn結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後,pn結內電場被克服,二極體正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。

在正常使用的電流範圍內,導通時二極體的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極體正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓,矽管約為0.

5v,鍺管約為0.1v。矽二極體的正向導通壓降約為0.

6~0.8v,鍺二極體的正向導通壓降約為0.2~0.3v。

3樓:匿名使用者

要按照二極體本身的極性要接,二極體的正極接正極,負極接負極,如果接反就不能導通,因為二管具有單向導電性

二極體的導通條件是什麼?

4樓:蛙家居

二極體正向導通的條件是:給與正向電壓,並且大於二極體的導通電壓!0.7v就是矽管的正向導通電壓(鍺管是約0.3v),導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變。

1、二極體加外正向電壓(外加反向電壓不能導通的)。

2、加上的正向電壓必須大於二極體的死區電壓。二極體的死區電壓:外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服pn結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。

這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。

3、當正向電壓大於死區電壓以後,pn結內電場被克服,二極體正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流範圍內,導通時二極體的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極體正向導通。

5樓:匿名使用者

給與正向電壓,並且大於二極體的導通電壓!

0.7v就是矽管的正向導通電壓(鍺管是約0.3v),導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變

1、二極體加外正向電壓(外加反向電壓不能導通的);

2、加上的正向電壓必須大於二極體的死區電壓。

二極體的死區電壓

外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服pn結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後,pn結內電場被克服,二極體正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。

在正常使用的電流範圍內,導通時二極體的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極體正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓,矽管約為0.

5v,鍺管約為0.1v。矽二極體的正向導通壓降約為0.

6~0.8v,鍺二極體的正向導通壓降約為0.2~0.

3v。二極體的工作原理晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結,在其介面處兩側形成空間電荷層,並建有自建電場。當不存在外加電壓時,由於pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時,外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。

當外界有反向電壓偏置時,外界電場和自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0。當外加的反向電壓高到一定程度時,pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極體的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

硬之城二極體。

6樓:匿名使用者

1、二極體加外正向電壓(外加反向電壓不能導通的);

2、加上的正向電壓必須大於二極體的死區電壓。

二極體的死區電壓:

外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服pn結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。這個不能使二極體導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大於死區電壓以後,pn結內電場被克服,二極體正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。

在正常使用的電流範圍內,導通時二極體的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極體的正向電壓。當二極體兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極體正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓,矽管約為0.

5v,鍺管約為0.1v。矽二極體的正向導通壓降約為0.

6~0.8v,鍺二極體的正向導通壓降約為0.2~0.3v。

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