求解釋一些MOS管驅動電壓,求高手分析下這個mos管驅動電路的原理,主要講解下兩個電阻的選型

2021-03-03 23:29:28 字數 3447 閱讀 5258

1樓:西電喵星人

過驅動電壓vod=vgs-vth。可以copy理解為bai:超過驅動門限(vth)的剩du餘電壓大小。

1)只有在你的zhi過驅動電壓「dao大於零」的情況下,溝道才會形成,mos管才會工作。也就是說,能夠使用過驅動電壓來判斷電晶體是否導通。

2)溝道電荷多少直接與過驅動電壓二次方成正比。也就是說,能夠使用過驅動電壓來計算飽和區的電流。

3)如果能夠更加深入理解的話,可以領悟到過驅動電壓不單單適用於指代vgs,也適用於指代vgd。即

vod1=vgs-vth;

vod2=vds-vth;

如果兩種vod都大於零,說明電晶體溝道全開,也就是處於線性區。只有一種vod大於零,說明電晶體溝道半開(在ds任意一端沒開啟有夾斷),也就是處於飽和區。

求高手分析下這個mos管驅動電路的原理,主要講解下兩個電阻的選型

2樓:小溪

這是一個電機驅動電路,mos管在這起了一個開關的作用。

這是兩個n溝道增強型cmos管,在其柵極施加正電壓將形成導電溝道,mos管的漏-源極呈現低阻狀態,相當於開關接通,電機轉動。由於該型別管子的輸入電阻極大,如果不是工作在高頻狀態,對電阻選擇要求不高,r24、r26數百歐姆到數k歐姆都可以,r25、r27在10k-20k範圍也都可以。

mos管驅動電路

3樓:rainbaby蔣雨貝

看了你們的對話,我發現樓主還沒明白,小白沒有關係,沒開數電模電更沒關係,現在的你能對照著圖紙連線實物,說明你很有學習電路的潛力!! 下面我給你詳細點的解釋,希望對你有所幫助.

j3的三個端子:1.pwm訊號,控制mos管的開關,也可以接普通高電平,其實pwm訊號就是一組不斷高低變化的電平訊號,這樣mos就不停地開關,如果改變pwm的高低比例,就起到了控制輸出功率的作用.

2.vcc是電源正極的意思 (在你這個電路里它不起作用,可以不接)

3,是地線(電源的負極)

j2的兩個端子:1.地線(電源的負極)

2.vs另一組電源正極(你這裡,該電壓是提供給空心杯做動力的)

j3的兩個端子 1.mos輸出端,接空心杯負極

2.電源vs輸出,接空心杯正極

這裡的vs與vcc應該是有區別的,vcc是經過穩壓後提供給系統的電源,比如微控制器的+5v

vs是給空心杯提供能源的,你這裡應該直接電池的兩端,或是專門有一組高放電倍率的航模專用鋰電池!

二極體用的是普通的發光二極體,這裡是指示工作狀態用

這個圖驅動兩個空心杯沒問題,如果還要更多也沒有問題,但要注意給mos加散熱器.

求一個微控制器控制mos管的電路圖

4樓:天晴電子玩家

電路原理圖:

如果驅動的東西(功率)很大,(大電流、大電壓的場合),最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制訊號(例如pwm訊號),也要給驅動級(mos管的推動電路)傳送電能。

常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc,這樣可以降低成本。

5樓:zzx梓

微控制器驅動mos管電路主要根據mos管要驅動什麼東西, 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以,要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩衝,最好用n溝道的mos。

如果驅動的東西(功率)很大,(大電流、大電壓的場合),最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等。此時既要隔離傳送控制訊號(例如pwm訊號),也要給驅動級(mos管的推動電路)傳送電能。

常用的訊號傳送有pc923 pc929 6n137 tl521等 至於電能的傳送可以用dc-dc模組。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的dc-dc,這樣可以降低成本。然後mos管有一種簡單的驅動方式:

2sc1815+2sa1015,npn與pnp一個用於mos開啟驅動,一個用於mos快速關斷。

擴充套件資料:

mos管主要引數

開啟電壓vt

開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;

標準的n溝道mos管,vt約為3~6v;·通過工藝上的改進,可以使mos管的vt值降到2~3v。

2. 直流輸入電阻rgs

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時以流過柵極的柵流表示

mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。

3. 漏源擊穿電壓bvds

在vgs=0(增強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds

有些mos管中,其溝道長度較短,不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通後,源區中的多數載流子,將直接受耗盡層電場的吸引,到達漏區,產生大的id

4. 柵源擊穿電壓bvgs

在增加柵源電壓過程中,使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs,稱為柵源擊穿電壓bvgs。

5. 低頻跨導gm

在vds為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導

gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是表徵mos管放大能力的一個重要引數

一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內

6. 導通電阻ron

導通電阻ron說明了vds對id的影響 ,是漏極特性某一點切線的斜率的倒數

在飽和區,id幾乎不隨vds改變,ron的數值很大,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由於在數位電路中 ,mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下,所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似

對一般的mos管而言,ron的數值在幾百歐以內

7. 極間電容

三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds

cgs和cgd約為1~**f,cds約在0.1~1pf之間

8. 低頻噪聲係數nf

噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在,就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時,在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化

噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示,它的單位為分貝(db)。這個數值越小,代表管子所產生的噪聲越小

低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數

場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝,它比雙極性三極體的要小

6樓:love肖工

直接pwm輸出口接一個

小電阻到mos管的g極,然後gs間接一個10k的電阻,常用接法。然後d接vcc。gs間接一個電阻有兩個作用,一是mos關斷的時候,防止mos誤導通。

還有沒有上電的時候能防止一定的靜電損壞;二是mos關斷時,提供一個通道給g極放電,加速關斷。

7樓:匿名使用者

protel給你畫

可以嗎

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