1樓：焦水淼
它的作用是可以用小電流控制大電流——電流放大作用
1、n型半導體：又稱為電子型半導體。在純淨的矽晶體中通過特殊工藝摻入少量的五價元素（如磷、砷、銻等）而形成，其內部自由電子濃度遠大於空穴濃度。
所以，n半導體內部形成帶負電的多數載流子——自由電子，而少數載流子是空穴。n型半導體主要靠自由電子導電。由於自由電子主要由所摻入的雜質提供，所以摻入的五價雜質越多，自由電子的濃度就越高，導電效能就越強。
而空穴由熱激發形成，環境溫度越高，熱激發越劇烈。
2、p型半導體：又稱為空穴型半導體。在純淨的矽晶體中摻入三價元素（如硼）而形成，其內部空穴濃度遠大於自由電子濃度，所以，p型半導體內部形成帶正電的多數載流子——空穴，而少數載流子是自由電子。
p型半導體主要靠空穴導電。由於空穴主要由所摻入雜質原子提供，摻入三價的雜質越多，空穴的濃度就越高，導電效能就越強。而自由電子是由熱激發形成，環境溫度越高，熱激發越激烈。
3、pn結及特性：p型和n型半導體接觸時，在介面附近空穴從p型半導體向n型半導體擴散，電子從n型半導體向p型半導體擴散。空穴和電子相遇而複合，載流子消失。
因此在介面附近的結區中有一段距離缺少載流子，卻有內建一個由n區指向p區的內電場。由於內電場是由多子建成，所以達到平衡後，內建電場將阻擋多數載流子的擴散，但不能阻止少數載流子。p區和n區的少數載流子一旦接近pn結，便在內電場的作用下漂移到對方。
pn結的單向導電性 外加正向電壓（正偏）：在外電場作用下，多子將向pn結移動，結果使空間電荷區變窄，內電場被削弱，有利於多子的擴散而不利於少子的漂移，擴散運動起主要作用。結果，p區的多子空穴將源源不斷的流向n區，而n區的多子自由電子亦不斷流向p區，這兩股載流子的流動就形成了pn結的正向電流。
外加反向電壓（反偏）：在外電場作用下，多子將背離pn結移動，結果使空間電荷區變寬，內電場被增強，有利於少子的漂移而不利於多子的擴散，漂移運動起主要作用。漂移運動產生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱為反向電流。
因少子濃度很低，反向電流遠小於正向電流。當溫度一定時，少子濃度一定，反向電流幾乎不隨外加電壓而變化，故稱為反向飽和電流。
4、擴散和漂移：多數載流子移動時擴散，少數載流子移動時漂移。
5、複合：電子和空穴相遇就會複合，大量的電子-空穴對複合就形成電流。6、空間電荷區：
也稱耗盡層。在pn結中，由於自由電子的擴散運動和內電場導致的漂移運動，使pn結中間的部位(p區和n區交介面)產生一個很薄的電荷區，它就是空間電荷區。在這個區域內，多數載流子已擴散到對方並複合掉了，或者說消耗殆盡了，因此，空間電荷區又稱為耗盡層。
p區一側呈現負電荷，n區一側呈現正電荷，因此空間電荷區出現了方向由n區指向p區的內電場。內電場將阻礙多子的擴散，而少子一旦靠近pn結，便在內電場的作用下漂移到對方。pn結正偏時，內電場減弱，有利於多子的擴散而不利於少子的漂移。
pn結反偏時，擴散運動使空間電荷區加寬，內電場增強，有利於少子的漂移而不利於多子的擴散。
7、內電場：pn結附近空間電荷區中，方向由n區指向p區的內電場。內電場對多數載流子起隔離作用，而對少數載流子起導通作用。
8、載流子：可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。金屬中為電子，半導體中有兩種載流子即電子和空穴。
9、少數載流子：p型半導體地少數載流子是自由電子，n型半導體中是空穴。
10、二極體：單向導電性。正偏多數載流子可以通過，反偏少數載流子可以通過。反偏時p型半導體和n型半導體不能提供源源不斷的少數載流子，所以反偏近似無電流。
二、三極體的工藝要求及作用
1、發射區摻雜濃度高：確保發射區中有足夠多的多數載流子——電子，當基極電壓高於發射極的時候，才有足夠多的電子擴散到基極。
2、基區做得非常薄：可以更好的讓基極（p型半導體）中的少數載流子——電子漂移到集電極。
三、工作條件 1、集電極電壓（vc）大於基極電壓（vb），基極電壓（vb）稍高於發射極電壓（ve）。即：vc>vb>ve，其中vb一般高於ve為0.
7v；vc常見電壓比ve高12v。這樣就使得集電結反偏，發射結正偏。
2、如要取得輸出必須加負載電阻。
四、三極體的工作原理 **如右：
五、關於三極體的問題 1、集電極（c極）處於反偏狀態，為什麼還有電流通過？ 答：pn結正偏情況下是利於「多數載流子」通過，而反偏則利於「少數載流子」通過，對於基極（b極）來說，它的少數載流子是電子，而當基極電壓高於發射極，有電流注入時，發射結正偏導通，發射區向基區擴散大量電子。
這些電子在內電場的作用下漂移到c極。從三極體外部看來，電流能通過反偏的集電結，其實，要分清楚「多子」、「少子」的區別。p型半導體的多子是空穴，少子是自由電子；n型半導體的多子是自由電子，少子是空穴。
2、為什麼集電極要加上很高的電壓？ 答：電壓高能使集電結的內電場更強，作用在少子上的力
更大，有利於少子、尤其是從基區漂移到發射區的電子；同時阻止多子的通過。
3、為什麼基區要做得很薄？
答：因為少子越貼近內電場，就越容易受其作用漂移到pn結對面。如果做得太厚，那進入基區的電子就不能很好地受內電場的作用，不能很好地漂移到集電區，所以要從生產工藝上把它做得很薄，厚度一般在幾個微米至幾十個微米。
4、為什麼發射區的摻雜濃度最高？
答：發射區摻雜濃度高才有更多的多數載流子，p型半導體中的多子是空穴，而npn型半導體的發射區是n型半導體，摻雜濃度高使其有更多的自由電子，這樣在基極和發射極的電壓差（基極高於發射極）作用下，才有更多電子擴散到基區。假設發射區的摻雜濃度和基區濃度相同，那麼擴散到基區的電子絕大多數會跟基區的空穴進行復合掉，電流的放大能力下降。
5、放大倍數β如何確定？
答：在生產過程中，控制基區的厚度和各個區的摻雜濃度，就能生產出不同放大倍數β的三極體。 6、基極（b極）小電流如何控制集電極大電流？
答：當基極沒有電流的時候，集電結幾乎沒有電子通過；基極電流慢慢增大時，集電結在正偏電壓作用下，多子逐漸激烈地向基區擴散。由於基區摻雜濃度低，擴散到集電區的多子少，需要外部注入的電流小。
發射區摻雜濃度高，擴散到基區的多子多，需要外部注入的電流大。放大倍數跟基區厚度、發射區摻雜濃度成正比。發射極跟基極複合的電子非常少，主要被集電結的內電場拉到集電區，集電極電流近似於發射極電流。
外部注入基極電流越大，發射區到基區的電子擴散就越激烈，漂移到集電區的電子也越多。在三極體的外部看來，發射極電流和集電極電流也急劇增大。
7、用兩個二極體可否焊接成一個三極體？
答：雖然兩個二極體能結成一個npn或pnp型的三極體，但其內部矽晶體的摻雜濃度不同於三極體，再者「基極」沒能做得很薄，漂移過「集電結」的少子相當少（不是沒有），因此發射極中的載流子幾乎不能到達集電結。
2樓：匿名使用者
三極體的結構和分類
其共同特徵就是具有三個電極，這就是「三極體」簡稱的來歷。通俗來講，三極體內部為由p型半導體和n型半導體組成的三層結構，根據分層次序分為npn型和pnp型兩大類。
上述三層結構即為三極體的三個區, 中間比較薄的一層為基區，另外兩層同為n型或p型，其中尺寸相對較小、多數載流子濃度相對較高的一層為發射區，另一層則為集電區。三極體的這種內部結構特點，是三極體能夠起放大作用的內部條件。
三個區各自引出三個電極，分別為基極（b） 、發射極（e）和集電極（c）。
如圖b所示，三層結構可以形成兩個pn結，分別稱為發射結和集電結。三極體符號中的箭頭方向就是表示發射結的方向。
三極體內部結構中有兩個具有單向導電性的pn結，因此當然可以用作開關元件，但同時三極體還是一個放大元件，正是它的出現促使了電子技術的飛躍發展。
2 三極體的電流放大作用
直流電壓源vcc應大於vbb，從而使電路滿足放大的外部條件：發射結正向偏置，集電極反向偏置。改變可調電阻rb，基極電流ib，集電極電流ic 和發射極電流ie都會發生變化，由測量結果可以得出以下結論：
（1） ie ＝ ib ＋ ic ( 符合克希荷夫電流定理）
（2） ic ≈ ib ×? （ ?稱為電流放大係數，可表徵三極體的電流放大能力）
（3）△ ic ≈ △ ib ×?
由上可見，三極體是一種具有電流放大作用的模擬器件。
3 三極體的放大原理
以下用npn三極體為例說明其內部載流子運動規律和電流放大
原理，1、發射區向基區擴散電子：由於發射結處於正向偏置，發射區的多數載流子（自由電子）不斷擴散到基區，並不斷從電源補充進電子，形成發射極電流ie。
2、電子在基區擴散和複合：由於基區很薄，其多數載流子（空穴）濃度很低，所以從發射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區空穴複合，形成比較小的基極電流ib，而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結邊緣。
3、集電區收集從發射區擴散過來的電子：由於集電結反向偏置，可將從發射區擴散到基區併到達集電區邊緣的電子拉入集電區，從而形成較大的集電極電流ic。
4 三極體的輸入輸出特性
三極體的輸入特性是指當集-射極電壓uce為常數時，基極電流ib與基-射極電壓ube之間的關係曲線。
對矽管而言，當uce超過1v時，集電結已經達到足夠反偏，可以把從發射區擴散到基區的電子中的絕大部分拉入集電區。如果此時再增大uce ，只要ube保持不變（從發射區發射到基區的電子數就一定）， ib也就基本不變。就是說，當uce超過1v後的輸入特性曲線基本上是重合的。
由圖可見，和二極體的伏安特性一樣，三極體的輸入特性也有一段死區，只有當ube大於死區電壓時，三極體才會出現基極電流ib。通常矽管的死區電壓約為0.5v，鍺管約為0.
1v。在正常工作情況下，npn型矽管的發射結電壓ube為0.6～0.
7v，pnp型鍺管的發射結電壓ube為-0.2～ -0.3v。
三極體的輸出特性是指當基極電流ib一定時，集電極電流ic與集-射極電壓uce之間的關係曲線。在不同的ib下，可得出不同的曲線，所以三極體的輸出特性是一組曲線。通常把輸出特性曲線分為三個工作區：
1、放大區：輸出特性曲線的近於水平部分是放大區。在放大區, ic ＝ ib ×?
,由於在不同ib下電流放大係數近似相等，所以放大區也稱為線性區。**管要工作在放大區，發射結必須處於正向偏置，集電結則應處於反向偏置，對矽管而言應使ube>0，ubc<0。
2、截止區： ib ＝ 0的曲線以下的區域稱為截止區。實際上，對npn矽管而言，當ube＜0.
5v時即已開始截止，但是為了使三極體可靠截止，常使ube≤0v，此時發射結和集電結均處於反向偏置。
3、飽和區：輸出特性曲線的陡直部分是飽和區，此時ib的變化對 ic的影響較小，放大區的?不再適用於飽和區 。在飽和區， uce＜ube，發射結和集電結均處於正向偏置。
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