為什麼Ge的暗電流比Si

2021-03-03 21:24:16 字數 436 閱讀 4801

1樓:

當ccd感應器表面沒有受到光子撞擊時,畫素單元會殘存某些有害電荷。該電荷是

版ccd晶片內部通電產生熱量後,權隨機產生的熱噪音電荷。這種有害電荷在未被光子撞擊時,將殘存在該畫素單元內,稱之謂暗電流。暗電流將限制ccd**的實際時間長度:

如果暗電流電荷充斥所有的畫素單元,則無法再對光子撞擊感應產生電荷。因此暗電流越低,ccd**時間才能越長,從而獲得理想的太空影象。

幸運的是暗電流可以檢測出來。將天文望遠鏡光學部分遮蓋(有意延長**時間),由於沒有光線到達ccd晶片,就有可能檢測出暗電流值-即所謂漆黑中畫素單元裡的電荷量。然後從每個畫素單元的電荷值裡減去暗電流值,即可獲得無暗電流的電荷淨值。

雖然這種從光電感應總量中減去暗電流的處理方法是非常有意義的,但無法解決畫素單元暗電流飽和問題。解決此問題的唯一途徑是設法降低所用ccd晶片的暗電流值。

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